大概在2000年初开始朱老师研究组就十分强调in situ SEM/TEM的研究。当时组里的in situ研究主要有两个特点：（1）实验设计简洁，数据扎实 （2）分析一维材料的surface和thickness dependence的力学和电学性质十分系统。我虽然没有亲身参与这些研究（进组太晚），但是她的这些思想一直在影响着我后来的研究工作。这里分享一封08年的邮件，当时朱老师和香港城大ST Lee有几个合作项目，当时我参与和帮着一起打理项目的材料时完全不懂什么是CRF，什么是NSFC-RGC，现在总算理解这些都是些什么（虐人）玩意了。当时这些项目是关于一维纳米材料电学性能研究的，朱老师组这方面开始的确实很早，彭奎庆师兄等开发了新的Si纳米线腐蚀制备手段，后来他到了CityU，直接导致了CityU的工作进展十分迅猛，然后就有了下面的邮件。。。朱老师发现组里的同学们（当时做原位TEM电学研究的几位师兄师姐都纷纷改行了，就我一个新手不明就里还在自己鼓捣着那个没人碰的Nanofactory台子）不太给力，所以她就给我发了下面个邮件，她特意把下面这篇CityU刚刚发表（2008年）的新论文发给我学习。现在想来，当时奎庆师兄，还有Wenjun，CS等教授们（现在都是大领导了！）确实是进展迅猛，COSDAF也是蒸蒸日上，相比之下，清华的原位TEM研究工作能拿得出手的工作确实比较少，有点青黄不接的味道。
朱静 <jzhu@mail.tsinghua.edu.cn>2008年12月14日 下午5:12
收件人：zhaojiong@gmail.com
附件的同样的工作我们研究组比他们开始得早（从方慧做博士论文开始），一是抓得不紧，二是思路不开扩。结果就落后了。希望你认真读，文章的工作做得很系统，要学习。你现在要做电学原位，一定要抓住一个有意义的问题，系统的做。金属纳米线和Si. ZnO纳米线我们都有优势的。如果你一定要做GaN,可否考虑用碳管做模板的方法。朱静
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Jing Zhu, Professor
Member, Chinese Academy of Sciences
Fellow, TWAS, the academy of sciences for the developing world
Director,BNCEM, Beijing National Center for Electron Microscopy
Department of Materials Science and Engineering
Tsinghua University
Beijing 100084, P.R.China
Web. http;//www.mse.tsinghua.edu.cn/faculty/zhuj/index.htm
Surface-Dominated_Transport_Properties_of_Silicon_Nanowires.pdf
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